氮化鎵_氮化鎵話題

弗朗索瓦·坦普利埃：用氮化鎵釋放Micro-LED更高性能

11月23日，世界顯示產業大會Micro LED顯示分論壇在合肥拉開帷幕。本次論壇邀請到來自中國、美國、韓國、日本等世界各國的13位Micro LED顯示技術領域專家、企業代表參會，演講嘉賓圍繞“未來顯示，搶占先機”的主題分享了各自領域的最新研究思想和成果。法國替代能源和原子能委員會電子與信息技術實驗室研究室主任弗朗索... 閱讀全文

作者：電子信息產業網日期：2021-10-08 人氣：130

標簽：我們氮化鎵 Micro-LED 可以 Micro 弗朗索瓦普利 LED 需要顯示

英諾賽科一期投資80億元8英寸氮化鎵項目即將量產，氮化鎵市場飛速發展

6月5日，位于汾湖高新區的英諾賽科（蘇州）半導體有限公司舉行量產暨研發樓奠基儀式，英諾賽科投資80億元、用地213畝的一期項目正式開啟大規模量產，預計2021年將實現產能6000片/月。項目全部達產后預計將實現年產能78萬片8英寸的硅基氮化鎵晶圓，年產值150億元，利稅15億元以上。"> 閱讀全文

作者：電子信息產業網日期：2021-09-27 人氣：161

標簽：氮化鎵賽科器件楊建榮市場功率量產應用材料優勢

歐洲半導體行業協會(ESIA)主席、意法半導體總裁兼首席執行官Jean-MarcChery：第三代半導體助力綠色發展，推動碳中和實現

《中國電子報》記者采訪了歐洲半導體行業協會(ESIA)主席、意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery，探討第三代半導體等技術的發展趨勢。Jean-Marc Chery指出，半導體技術有助于相關應用實現更低的功耗和更少氣體排放，包括二氧化碳排放。意法半導體將專注于智能出行、電力和能源、物聯網和5G三大發展... 閱讀全文

作者：電子信息產業網日期：2021-09-27 人氣：199

標簽：意法半導體第三代半導體碳化硅氮化鎵 SiC

“新秀”氮化鎵嘗試“上車”

雖然氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）同屬于寬禁帶半導體材料，相較于已經發展十多年的碳化硅而言，GaN功率器件是個不折不扣的“新秀”。它既擁有類似SiC在寬禁帶材料方面的性能優勢，也擁有更強的成本控制潛力。與傳統硅材料相比，基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率輸出密度和更高的能量轉換效率，并可以使系統小型化、輕量... 閱讀全文

作者：電子信息產業網日期：2021-09-27 人氣：112

標簽：器件功率 GaN 新能源氮化鎵半導體應用汽車材料碳化硅

英飛凌和松下攜手加速650VGaN功率器件的GaN技術開發

【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）和松下公司簽署協議，共同開發和生產第二代（Gen2）成熟的氮化鎵（GaN）技術，提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性與8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力相結合，標志著英飛凌對氮化鎵功率半導體日益增長... 閱讀全文

作者：電子技術應用日期：2021-09-22 人氣：168

標簽：英飛凌松下氮化鎵