GaN器件以下是與"GaN器件"相關的文章列表。
GaN器件的直接驅動配置
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。 閱讀全文
作者：電工吧 日期：2020-08-11 人氣：120
GaN器件的直接驅動配置
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。 閱讀全文
作者：電工吧 日期：2020-08-07 人氣：211
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