超結MOSFET以下是與"超結MOSFET"相關的文章列表。
硅晶體管創新還有可能嗎？
在本世紀初出現的超結MOSFET是一場高壓（即200V以上）硅基功率晶體管的技術革命。直到20世紀90年代末，芯片設計者還不得不接受這樣一個“公理”，即平面晶體管的品質因數（導通電阻與芯片面積的乘積）與擊穿電壓BV成正比，比例最高到2.5。這個公理意味著，在給定的電壓下，要達到較低的導通電阻值，唯一的解決辦法就是增加芯... 閱讀全文
作者：電子技術應用 日期：2021-09-18 人氣：146
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